德國雷根斯堡大學、馬爾堡大學和帕德博恩大學的科學家合作，利用一種新近投入使用的高壓太赫磁輻射源，在萬億分之一秒的**時間內(nèi)在半導體上制造了電壓達到100億伏/平方米的電磁場，并研究觀察了電子振動現(xiàn)象。

    由于創(chuàng)紀錄的強度和**的磁場運動控制，這個輻射源能夠制造遠紅外區(qū)的超短脈沖?？茖W家的實驗妙招是，將這種超短脈沖的擺動電磁場作為短暫的偏壓。他們借助高速攝像機，發(fā)現(xiàn)振動的電子可以產(chǎn)生從微波到紫外光區(qū)域的電磁波。為了解釋測量到的數(shù)據(jù)，科學家們開發(fā)了一個量子力學模型，這個模型可以反映半導體內(nèi)的復雜過程，并確證試驗獲得的數(shù)據(jù)符合布洛赫振動的特征。

    有關研究結(jié)果揭示了量子世界新的一面，對未來半導體元件的開發(fā)具有重要意義。研究結(jié)果還表明，單光振動的瞬間產(chǎn)生的電流是可以被控制的。未來的電子學也將拓展到光學時鐘速率水平。布洛赫振動產(chǎn)生的超短脈沖突破了遠紅外區(qū)域的記錄，有望成為超短時物理研究的重要研究工具。有關結(jié)果發(fā)表在《自然光子學》雜志上。